2001/01/16
뉴햄프셔 Nashua의 Mulith社는 광학 리소그래피 기술을 이용하여 0.1 마이크로미터 이하의 구조를 갖는 갈륨 아세나이드 칩의 생산이 가능해졌다고 발표하였다. 작년에 개발된 RIF(reference-distribution aerial-image formation) 기술은 기존의 광학적인 방법이나 전자빔, 그리고 x-선을 이용하는 방법보다 훨씬 저렴하다고 이 회사는 주장하고 있다.
Mulith社의 사장인 Greyson Gilson은 "기존 광학 스테퍼(stepper)의 부적절한 초점심도로 인하여 실제적인 GaAs 부품을 생산하는 것이 힘들었습니다. 왜냐하면 이 과정이 평면에서 이루어지지 않기 때문이죠. 시장에 나와있는 기존의 리소그래피 장치들로는 분해능과 초점심도가 사용되는 광원의 파장에 의해서 제한됩니다. 이 새로운 기술에는 기존의 경우와 같은 근본적인 분해능 제한이 존재하지 않습니다."라고 말하였다.
이 기술은 더 정밀한 분해능을 가지기 위하여 두 광의 간섭무늬 패턴을 만들어서 이용한다.
이 회사는 공동회사의 설립 또는 독점적인 권한 제공 등의 방법으로 RIF 기술을 제공하는 방안에 대해서 알아보고 있다고 전하였다