제 목 : Chartered와 Ericsson의 RF CMOS 제품

2001/04/10

정보출처 : Semiconductor Business News

Chartered Semiconductor 는 Ericsson Microelectronics와의 1년 이상의 공동개발로 0.25마이크론의 RF-CMOS칩을 선보였다.

이번에 소개된 칩은 Ericsson에서 디자인 된 블루투스 트랜시버로 15개월 전에 두 회사의 협정 이후 공동 개발한 RF CMOS 공정을 사용하여 제작되었다.

현재는 Ericsson의 블루투스 제품은 스웨덴의 회사에서 개발되어진 0.35마이크론 BiCMOS공정을 사용하여 만들어지고 있으며 같은 구조의 새로이 디자인되어진 제품이 새로운 RF CMOS공정을 사용하여 제작될 것이라고 한다. Ericsson과 Chartered는 0.18마이크론 공정의 기술을 사용하는 시스템-온-칩 제품을 목표로 하고 있다고 한다.

두 회사는 2001년 말까지는 이 기술을 사용한 최종 시제품을 출시하고 양산 가능한 체제를 갖출것 이라고 한다.

Ericsson의 사장인 Bo Andersson은 이번 블루투스 트랜시버의 제품화 성공은 Ericsson이 구매자들에게 다음세대의 공정을 제공하는데 있어서 중요한 단계가 될것이라고 한다.

두 회사의 이야기에 따르면 공동 개발된 0.25마이크론 공정은 2.5V의 전원전압을 사용하며 35GHz의 peak fT와 45GHz의 fmax를 가진다.